Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FQPF9N50T

MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220F

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
FQPF9N50T

FQPF9N50T Hakkında

FQPF9N50T, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 500V drain-source gerilim (Vdss) ve 5.3A sürekli drain akımı (Id) kapasitesine sahiptir. 10V gate sürüş geriliminde 730mOhm Rds(on) değeri ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç elektroniği devreleri, motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda yerini bulur. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen transistör, maksimum 50W güç dissipasyonu yapabilir. 36nC gate charge ve 1450pF input kapasitansı ile hızlı anahtarlama özellikleri sunar. Bileşen obsolete statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.3A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1450 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 730mOhm @ 2.65A, 10V
Supplier Device Package TO-220F-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok