Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FQPF9N50CYDTU

MOSFET N-CH 500V 9A TO220F-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
FQPF9N50C

FQPF9N50CYDTU Hakkında

FQPF9N50CYDTU, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V drain-source gerilimi ve 9A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate geriliminde 800mOhm maksimum RDS(on) değerine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, anahtarlama devrelerinde, güç yönetiminde ve motor kontrolü uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. 44W maksimum güç tüketimi ve düşük kapasitans değerleri ile hızlı komütasyon özellikleri sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1030 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 44W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800mOhm @ 4.5A, 10V
Supplier Device Package TO-220F-3 (Y-Forming)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok