Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQPF9N50CT
MOSFET N-CH 500V 9A TO220F
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQPF9N50
FQPF9N50CT Hakkında
FQPF9N50CT, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V drain-source gerilim (Vdss) ve 9A sürekli drain akımı (Id) ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, 44W güç dağılımı kapasitesine sahiptir. 800mOhm maksimum on-direnç (Rds On) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. Endüstriyel kontrol devreleri, güç kaynakları, motor sürücüleri ve enerji dönüştürme uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1030 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 44W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 800mOhm @ 4.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220F-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok