Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQPF9N50CF
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQPF9N50CF
FQPF9N50CF Hakkında
FQPF9N50CF, Rochester Electronics tarafından üretilen 500V drain-source gerilim kapasitesine sahip N-Channel power MOSFET transistördür. 9A sürekli drain akımı ve 44W maksimum güç dağılımı kapasitesiyle güç elektronik uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde gelen bu transistör, anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde, motor kontrolü, SMPS (Switched Mode Power Supply) tasarımlarında ve yüksek voltajlı güç yönetimi uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen cihaz, 850mOhm maksimum Rds(on) değeri ile verimli anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1030 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 44W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 850mOhm @ 4.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220F-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok