Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQPF9N50C
MOSFET N-CH 500V 9A TO220-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQPF9N50C
FQPF9N50C Hakkında
FQPF9N50C, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V drain-source gerilim (Vdss) ve 9A sürekli drain akımı (Id) kapasitesine sahiptir. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 800mΩ maksimum on-resistance değeriyle güç kaybını minimumda tutar. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilen bu MOSFET, endüstriyel güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve anahtarlama converterlarında yaygın olarak uygulanır. 44W maksimum güç disipasyonu ve 35nC gate charge özellikleriyle hızlı komütasyon gerektiren uygulamalara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1030 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 44W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 800mOhm @ 4.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok