Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQPF9N30
MOSFET N-CH 300V 6A TO220F
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQPF9N30
FQPF9N30 Hakkında
FQPF9N30, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 300V drain-source gerilimi ve 6A sürekli dren akımı kapasitesiyle orta güç uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde monte edilen bu bileşen, anahtarlama devreleri, motor kontrol, güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda yer alır. 450mΩ maksimum gate-source direnci (Rds On) ve 22nC gate yükü ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 42W maksimum güç dağılımına dayanır. Through-hole montajı tercih edilen uygulamalar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 300 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 740 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 42W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450mOhm @ 3A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220F-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok