Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FQPF9N25CYDTU

MOSFET N-CH 250V 8.8A TO220F-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
FQPF9N25CY

FQPF9N25CYDTU Hakkında

FQPF9N25CYDTU, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 250V drain-source gerilimi ve 8.8A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 430mOhm maksimum on-state direnci ile verimli anahtarlama işlemleri gerçekleştirir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, endüstriyel kontrol devreleri, AC/DC konvertörleri, motor sürücüleri ve yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 38W maksimum güç dissipasyonu ve düşük gate charge değeri (35nC @ 10V) ile hızlı ve güvenilir komütasyon sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8.8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 250 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 710 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 430mOhm @ 4.4A, 10V
Supplier Device Package TO-220F-3 (Y-Forming)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok