Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQPF9N25CYDTU
MOSFET N-CH 250V 8.8A TO220F-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQPF9N25CY
FQPF9N25CYDTU Hakkında
FQPF9N25CYDTU, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 250V drain-source gerilimi ve 8.8A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 430mΩ maksimum RDS(on) değerine sahiptir ve 10V gate geriliminde çalışır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı, endüstriyel uygulamalara uygunluğunu gösterir. Güç anahtarlaması, motor kontrol, güç yönetimi ve LED sürücüsü uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 38W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 710 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack, Formed Leads |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 38W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 430mOhm @ 4.4A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220F-3 (Y-Forming) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok