Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQPF9N25CT
MOSFET N-CH 250V 8.8A TO220F
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQPF9N25CT
FQPF9N25CT Hakkında
FQPF9N25CT, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 250V Drain-Source gerilim kapasitesi ve 8.8A sürekli dren akımı ile güç uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon görevlerinde kullanılır. TO-220-3 paket tipi ile montajı kolaydır. 430mOhm Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybına sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Motor kontrolü, güç kaynakları, invertörler ve endüstriyel anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. Maksimum 38W güç tüketebilen bu bileşen, 35nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlamaya uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 710 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 38W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 430mOhm @ 4.4A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220F-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok