Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQPF9N25C
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQPF9N25C
FQPF9N25C Hakkında
FQPF9N25C, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 250V drain-source gerilim dayanımı ve 8.8A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-220-3 paket tipinde sağlanan bu FET bileşeni, anahtarlama devreleri, DC/DC konverterler, motor kontrol uygulamaları ve güç yönetimi sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir. 430mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük geçiş kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 710 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 38W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 430mOhm @ 4.4A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220F-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok