Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQPF8P10
MOSFET P-CH 100V 5.3A TO220F
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQPF8P10
FQPF8P10 Hakkında
FQPF8P10, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilimi ile 5.3A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 530mOhm maksimum Rds(on) değeri ile anahtarlama devrelerinde verimliliği artırır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, güç yönetimi, motor kontrolü, anahtarlı güç kaynakları ve yük anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 28W maksimum güç tüketimi ile tasarlandığı için termik yönetim gerektiren endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 470 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 28W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 530mOhm @ 2.65A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220F-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok