Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FQPF8N90C

MOSFET N-CH 900V 6.3A TO220F

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
FQPF8N90C

FQPF8N90C Hakkında

FQPF8N90C, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 900V drain-source gerilim (Vdss) kapasitesi ve 6.3A sürekli drenaj akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sağlanan bu transistör, 60W güç dağılım kapasitesine sahiptir. 1.9Ω maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama operasyonları gerçekleştirir. Gate charge değeri 45nC'dir. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklık aralığında stabil performans gösterir. Endüstriyel güç elektronikleri, enerji dönüşüm devreleri, motor kontrol ve yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Through-hole montaj tipi ile PCB'ye doğrudan monte edilebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.3A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 900 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2080 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.9Ohm @ 3.15A, 10V
Supplier Device Package TO-220F-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok