Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FQPF8N80C

MOSFET N-CH 800V 8A TO220F

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
FQPF8N80C

FQPF8N80C Hakkında

FQPF8N80C, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 800V drain-source gerilimi ve 8A sürekli drenaj akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon görevlerini yerine getirmek için tasarlanmıştır. 1.55Ohm maksimum RdsOn değeri ile düşük kondüktans kaybı sağlar. TO-220-3 paketinde sunulan komponent, ±30V maksimum gate gerilimi ile güvenli kontrol edilebilir. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklığında stabildir. Güç kaynakları, motor kontrol devreleri, güç yönetimi sistemleri ve yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Through-hole montajı ile PCB'ye doğrudan entegre edilebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2050 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Last Time Buy
Power Dissipation (Max) 59W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.55Ohm @ 4A, 10V
Supplier Device Package TO-220F-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok