Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQPF8N60CYDTU
MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220F-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQPF8N60C
FQPF8N60CYDTU Hakkında
FQPF8N60CYDTU, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source voltaj ve 7.5A sürekli drain akımı ile çalışır. TO-220-3 paketinde gelen bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında anahtar görevi yapar. 1.2Ω max RDS(on) değeri ile düşük kayıplar sağlar. Gate kapasitansı 1255pF ve gate charge 36nC'dir. 10V drive voltage ile kontrol edilir, ±30V maksimum gate-source voltajına dayanır. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu MOSFET, endüstriyel kontrol devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve enerji yönetim sistemlerinde kullanılır. Şu anda obsolete durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1255 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack, Formed Leads |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 48W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 3.75A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220F-3 (Y-Forming) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok