Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQPF8N60C
MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220F
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQPF8N60C
FQPF8N60C Hakkında
FQPF8N60C, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V Drain-Source voltaj derecelendirilmesi ve 7.5A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde monte edilen bu bileşen, anahtarlama devrelerinde, güç kontrolü ve regülasyon uygulamalarında tercih edilir. 1.2Ω maksimum RDS(on) değeri ile verimli çalışır. İnverterler, motor kontrol, LED sürücüler ve güç kaynağı uygulamalarında sıklıkla yer alır. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığı sayesinde zorlu ortamlarda güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1255 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 48W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 3.75A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220F-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok