Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FQPF7N65CYDTU

MOSFET N-CH 650V 7A TO220F-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
FQPF7N65CY

FQPF7N65CYDTU Hakkında

FQPF7N65CYDTU, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 650V drain-source gerilim ve 7A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 1.4Ω maksimum RDS(on) değeri ile verimliliği artırırken ısı kaybını azaltır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç kaynakları, inverterler, motor kontrol devreleri ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı sayesinde endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında güvenilir çözüm sunar. Maksimum 52W güç dağıtabilir ve ±30V gate-source gerilim kapasitesi ile yüksek seviyede kontrol esnekliği sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1245 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Part Status Last Time Buy
Power Dissipation (Max) 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4Ohm @ 3.5A, 10V
Supplier Device Package TO-220F-3 (Y-Forming)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok