Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQPF7N65C
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQPF7N65C
FQPF7N65C Hakkında
FQPF7N65C, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 650V Drain-Source gerilim ve 7A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 10V gate sürüş geriliminde 1.4Ω maksimum RDS(On) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, güç elektronikleri uygulamalarında anahtar elemanı olarak kullanılır. Yüksek voltaj uygulamaları, inverterler, motor kontrol devreleri, switched-mode power supplies (SMPS) ve güç amplifikatörleri gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahip olup, endüstriyel ve gömülü sistem tasarımlarında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1245 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 52W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4Ohm @ 3.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220F |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok