Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FQPF7N10L

MOSFET N-CH 100V 5.5A TO220F

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
FQPF7N10L

FQPF7N10L Hakkında

FQPF7N10L, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 5.5A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 10V gate geriliminde 350mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük kayıplı anahtarlama sağlar. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrol, güç kaynakları, şarj devreleri ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak uygulanmaktadır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans sunar. Bileşen üretim dışı durumundadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 290 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 23W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 350mOhm @ 2.75A, 10V
Supplier Device Package TO-220F-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok