Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQPF6N80T
MOSFET N-CH 800V 3.3A TO220F
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQPF6N80T
FQPF6N80T Hakkında
FQPF6N80T, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 800V drain-source gerilim ve 3.3A sürekli dren akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, güç kaynakları, şarj devreleri, motor kontrol uygulamaları ve AC/DC konvertörlerde yaygın olarak tercih edilir. 1.95Ω maksimum gate-source direnci ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu komponent, 51W maksimum güç dissipasyonu ile orta ve yüksek güç uygulamalarında kullanıma uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1500 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 51W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.95Ohm @ 1.65A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220F-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok