Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQPF6N80T
MOSFET N-CH 800V 3.3A TO220F
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQPF6N80T
FQPF6N80T Hakkında
FQPF6N80T, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 800V drain-source gerilimi ve 3.3A sürekli drenaj akımı özelliğine sahiptir. TO-220-3 through-hole paketinde sunulan bu bileşen, yüksek gerilim uygulamalarında anahtar ve amplifikasyon işlevlerinde kullanılır. 1.95Ω maksimum RDS(on) değeri ile verimli güç transferi sağlar. Gate charge 31 nC olup, hızlı komütasyon performansı sunar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, endüstriyel kontrol, güç kaynakları, motor sürücüleri ve enerji dönüşüm devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1500 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 51W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.95Ohm @ 1.65A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220F-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok