Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FQPF6N80CT

MOSFET N-CH 800V 5.5A TO220F

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
FQPF6N80CT

FQPF6N80CT Hakkında

FQPF6N80CT, onsemi tarafından üretilen 800V N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu komponentin maksimum drenaj akımı 5.5A, RDS(on) değeri 2.5Ω ve maksimum harcanan güç 51W'tır. ±30V gate voltaj aralığında çalışabilen transistör, -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. Yüksek voltaj uygulamalarında, anahtarlama devreleri, güç yönetimi ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. 30nC gate charge ve 1310pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama özelliğini gösterir. Through-hole montaj türüyle PCB tasarımında esneklik sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1310 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Last Time Buy
Power Dissipation (Max) 51W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5Ohm @ 2.75A, 10V
Supplier Device Package TO-220F-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok