Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQPF6N80C
MOSFET N-CH 800V 5.5A TO220F
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQPF6N80C
FQPF6N80C Hakkında
FQPF6N80C, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 800V drain-source gerilim ve 5.5A sürekli dren akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 2.5Ω maksimum RDS(on) değeri ile enerji verimliliği sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen transistör, anahtarlama uygulamaları, güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve yüksek voltaj dönüştürücülerde tercih edilir. 51W maksimum güç tüketimi kapasitesiyle endüstriyel ve tüketici ürünlerinde yaygın olarak yer almaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1310 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 51W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5Ohm @ 2.75A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220F-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok