Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FQPF6N80

MOSFET N-CH 800V 3.3A TO220F

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
FQPF6N80

FQPF6N80 Hakkında

FQPF6N80, onsemi tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 800V drain-source gerilim kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 25°C'de 3.3A sürekli drain akımı sağlayarak güç elektronikleri devrelerde anahtarlama elemanı olarak görev yapar. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, 10V gate sürücü gerilimiyle çalışır ve maksimum 1.95Ω on-resistance değerine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışır, maksimum 51W güç tüketebilir. İçerisinde metal oksit dielektrik katmanı barındıran bu MOSFET, endüstriyel anahtarlama devreleri, güç kaynakları, motor kontrol uygulamaları ve yüksek voltaj konvertörlerde tercih edilir. 31nC gate charge ve 1500pF input capacitance değerleriyle hızlı komütasyon sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.3A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1500 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 51W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.95Ohm @ 1.65A, 10V
Supplier Device Package TO-220F-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok