Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FQPF6N60

MOSFET N-CH 600V 3.6A TO220F

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
FQPF6N60

FQPF6N60 Hakkında

FQPF6N60, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 3.6A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç kaynakları, motor kontrolü, anahtarlama devreleri ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak yer alır. 1.5Ω maksimum drain-source direnç (10V gate geriliminde) ile verimli anahtarlama sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. 44W maksimum güç dağılımına sahiptir. Kendi başına elemanlardan oluşan bir anahtarlayıcı olarak veya entegre devrelerle birlikte kullanılabilir. Not: Bu ürün üretimi sonlandırılmış (obsolete) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.6A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1000 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 44W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 1.8A, 10V
Supplier Device Package TO-220F-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok