Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FQPF6N25

MOSFET N-CH 250V 4A TO220F

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
FQPF6N25

FQPF6N25 Hakkında

FQPF6N25, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 250V drain-source voltaj ve 4A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu bileşen, güç denetim ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan komponen, 1Ohm maksimum RDS(on) değeri ile verimli işletme sağlar. Geniş sıcaklık aralığında (-55°C ~ 150°C) çalışabilen bu MOSFET, endüstriyel kontrol devreleri, motor sürücüleri ve DC-DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda tercih edilir. 10V gate drive voltajıyla işletilir ve 8.5nC gate charge değerine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 250 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 300 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 37W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1Ohm @ 2A, 10V
Supplier Device Package TO-220F-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok