Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQPF5P10
MOSFET P-CH 100V 2.9A TO220F
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQPF5P10
FQPF5P10 Hakkında
FQPF5P10, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilimi ve 2.9A sürekli drain akımı ile çalışmakta olup, TO-220-3 paketinde sunulmaktadır. 10V gate geriliminde 1.05Ω Rds(On) değeri ile düşük iletim direncine sahiptir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Gate charge değeri 8.2nC olup, 23W maksimum güç dağılımı kapasitesine sahiptir. Güç elektronikleri uygulamalarında, anahtarlama devrelerinde ve güç yönetimi sistemlerinde kullanılmakta olan bu bileşen, özellikle düşük akım ve orta gerilim uygulamalarında tercih edilir. Şu anda Obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.2 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 250 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 23W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.05Ohm @ 1.45A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220F-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok