Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQPF5N80
MOSFET N-CH 800V 2.8A TO220F
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQPF5N80
FQPF5N80 Hakkında
FQPF5N80, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 800V Drain-Source gerilimi ve 2.8A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bu bileşen, yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan transistör, elektrik kaynakları, invertörler, DC-DC dönüştürücüler ve motor kontrol devrelerinde tercih edilmektedir. 2.6Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilmesi, geniş sıcaklık aralığına sahip sistemlerde kullanımını mümkün kılar. 47W maksimum güç dağıtımı kapasitesiyle tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1250 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 47W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.6Ohm @ 1.4A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220F-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok