Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQPF5N60CYDTU
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220F-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQPF5N60CY
FQPF5N60CYDTU Hakkında
FQPF5N60CYDTU, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 4.5A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 full pack paketlemesi ile through-hole monte edilir. 2.5Ω maksimum RDS(on) değeri ile switching ve amplifikasyon devrelerinde düşük kayıp sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Gate charge değeri 19nC ile hızlı anahtarlama özelliği gösterir. Endüstriyel güç yönetimi, motor sürücüsü, DC-DC dönüştürücü ve anahtarlama güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. Bileşen kullanım dışı durumundadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 670 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack, Formed Leads |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 33W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5Ohm @ 2.25A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220F-3 (Y-Forming) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok