Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FQPF5N50CYDTU

MOSFET N-CH 500V 5A TO220F-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
FQPF5N50CY

FQPF5N50CYDTU Hakkında

FQPF5N50CYDTU, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V drain-source gerilim (Vdss) ve 5A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. 1.4Ω maksimum RDS(on) değeri ile verimli güç iletimini sağlar. Gate threshold gerilimi 4V olup, ±30V maksimum gate-source gerilimi destekler. TO-220-3 paket tipinde sunulan bu transistör, anahtarlama devreleri, güç kaynakları, motor kontrol, inverter ve sınıflandırma devrelerinde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 625 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Part Status Last Time Buy
Power Dissipation (Max) 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4Ohm @ 2.5A, 10V
Supplier Device Package TO-220F-3 (Y-Forming)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok