Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQPF5N30
MOSFET N-CH 300V 3.9A TO220F
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQPF5N30
FQPF5N30 Hakkında
FQPF5N30, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 300V Drain-Source gerilimi ve 3.9A sürekli dren akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarına uygun tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate geriliminde 900mOhm maksimum Rds(On) değerine sahiptir. -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışır ve maksimum 35W güç tüketebilir. 13nC gate charge ve 430pF input capacitance özellikleriyle düşük sinyal gecikmesi gerektiren anahtarlama devrelerinde, güç yönetimi ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında kullanılır. Through-hole montajı ile endüstriyel ve ticari elektronik sistemlerde yer bulur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 300 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 430 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 35W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900mOhm @ 1.95A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220F-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok