Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQPF55N10
MOSFET N-CH 100V 34.2A TO220F
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQPF55N10
FQPF55N10 Hakkında
FQPF55N10, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source voltajı ve 34.2A sürekli drain akımı ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, 26mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. -55°C ile +175°C arasında çalışabilme kapasitesi sayesinde endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında, DC-DC konvertörlerde, motor sürücülerinde ve güç yönetimi devrelerinde uygulanır. 98nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 34.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 98 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2730 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 60W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26mOhm @ 17.1A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220F-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok