Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQPF4N90CT
MOSFET N-CH 900V 4A TO220F
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQPF4N90CT
FQPF4N90CT Hakkında
FQPF4N90CT, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 900V Drain-Source gerilimi ve 4A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. TO-220-3 kare paket içerisinde sunulan bu komponent, yüksek gerilim uygulamalarında anahtar ve amplifikasyon görevlerinde kullanılır. Gate charge değeri 22 nC olup, düşük input kapasitansi ile hızlı komütasyonu destekler. -55°C ile 150°C arasındaki çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans gösterir. Endüstriyel güç kaynakları, motor kontrol devreleri, aydınlatma uygulamaları ve gerilim dönüştürücülerde yaygın olarak yer alır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 960 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 47W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2Ohm @ 2A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220F-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok