Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FQPF4N90C

MOSFET N-CH 900V 4A TO220F

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
FQPF4N90C

FQPF4N90C Hakkında

FQPF4N90C, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 900V drain-source gerilimi ve 4A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç kaynakları, inverter devreleri, motor kontrol uygulamaları ve anahtarlama devrelerinde yaygın olarak tercih edilir. 10V gate sürüş voltajında 4.2Ω On-Resistance değeri ve 47W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile endüstriyel ve ticari elektronik uygulamalarında güvenilir bir çözüm sunar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığına sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 900 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 960 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Last Time Buy
Power Dissipation (Max) 47W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2Ohm @ 2A, 10V
Supplier Device Package TO-220F-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok