Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FQPF4N90

MOSFET N-CH 900V 2.5A TO220F

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
FQPF4N90

FQPF4N90 Hakkında

FQPF4N90, onsemi tarafından üretilen 900V N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında anahtar görevi üstlenmek için tasarlanmıştır. 2.5A sürekli drenaj akımı kapasitesi ve 3.3Ω RDS(on) direnci ile güç dönüştürme, invertör ve DC-DC konvertör devrelerinde kullanılır. ±30V kapı voltajı aralığında çalışan transistör, -55°C ile 150°C arasında sabit performans gösterir. 47W maksimum güç dağılımı ve düşük kapı yükü (30nC) özellikleriyle endüstriyel ve tüketici elektroniksi uygulamalarında yer almıştır. Ancak, bu parça üretim sonlandırılmış (Obsolete) statüsündedir ve yeni tasarımlarda alternatif bileşenlerin kullanılması önerilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 900 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1100 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 47W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.3Ohm @ 1.25A, 10V
Supplier Device Package TO-220F-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok