Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQPF4N90
MOSFET N-CH 900V 2.5A TO220F
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQPF4N90
FQPF4N90 Hakkında
FQPF4N90, Rochester Electronics tarafından üretilen 900V N-Channel MOSFET transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama işlevini yerine getirmek için tasarlanmıştır. 2.5A sürekli dren akımı ile güç sistemlerinde, DC/DC dönüştürücülerde, inverterlerde ve yüksek voltajlı anahtar devrelerde kullanılır. 3.3Ohm (10V, 1.25A) maksimum Rds(on) değeri ile enerji kaybını minimize eder. 30nC gate charge değeri hızlı anahtarlama özelliğini sağlar. -55°C ile +150°C arası geniş çalışma sıcaklığı aralığında ve 47W güç yayılım kapasitesi ile endüstriyel ve tıbbi uygulamalara uygun bir çözümdür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1100 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 47W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.3Ohm @ 1.25A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220F-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok