Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQPF4N80
MOSFET N-CH 800V 2.2A TO220F
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQPF4N80
FQPF4N80 Hakkında
FQPF4N80, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 800V drain-source gerilimi ve 2.2A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek gerilim uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon işlevleri için kullanılır. 3.6Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. Gate-source gerilimi ±30V'a kadar dayanabilir ve -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Endüstriyel kontrol devreleri, SMPS (Switched Mode Power Supply), invertör tasarımları ve yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Ürün obsolete (üretimi durdurulmuş) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 880 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 43W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.6Ohm @ 1.1A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220F-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok