Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQPF4N80
MOSFET N-CH 800V 2.2A TO220F
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQPF4N80
FQPF4N80 Hakkında
FQPF4N80, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) bileşenidir. 800V Drain-Source gerilim kapasitesi ve 2.2A sürekli drenaj akımı ile tasarlanmıştır. TO-220-3 through-hole pakete sahip bu transistör, yüksek gerilim uygulamalarında anahtar görevi görmek üzere kullanılır. 3.6Ω maksimum on-direnci (Rds On) ile güç kaybını minimize eder. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 43W maksimum güç dağılımı kapasitesine sahiptir. Anahtarlama, güç yönetimi ve motor kontrol devrelerinde yaygın olarak uygulanır. Gate charge değeri 25nC ve input capacitance 880pF olarak belirtilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 880 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 43W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.6Ohm @ 1.1A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220F-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok