Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQPF4N60
MOSFET N-CH 600V 2.6A TO220F
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQPF4N60
FQPF4N60 Hakkında
FQPF4N60, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source gerilimi ve 2.6A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. TO-220-3 paketinde sunulan bu komponent, yüksek voltaj uygulamalarında anahtar elemanı olarak kullanılır. 2.2Ohm maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilen FQPF4N60, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve indüktif yükü kontrol eden uygulamalarda yer alır. Gate charge değeri 20nC ile hızlı komütasyon gerçekleştirir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 670 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 36W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.2Ohm @ 1.3A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220F-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok