Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQPF4N60
MOSFET N-CH 600V 2.6A TO220F
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQPF4N60
FQPF4N60 Hakkında
FQPF4N60, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source voltaj ve 2.6A sürekli drain akımı ile tasarlanmış olup, 10V gate sürü voltajında 2.2Ω maksimum Rds(on) değerine sahiptir. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltajlı anahtar ve doğrultma uygulamalarında, güç dönüştürücülerinde ve motor kontrol devrelerinde kullanılır. -55°C ile 150°C çalışma sıcaklık aralığı ve 36W maksimum güç yayılımı kapasitesi ile endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarına uygun bir seçenektir. Gate charge 20nC ve input capacitance 670pF değerleriyle hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 670 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 36W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.2Ohm @ 1.3A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220F-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok