Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQPF4N50
MOSFET N-CH 500V 2.3A TO220F
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQPF4N50
FQPF4N50 Hakkında
FQPF4N50, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V drain-source gerilimi ve 2.3A sürekli drain akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 pakette sunulan bu transistör, anahtarlama ve güç yönetimi devrelerinde, DC-DC konvertörlerde, motor sürücülerinde ve güç kaynakları tasarımında yer alır. 2.7Ω maksimum RDS(on) değeri ile verimli iletim sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu bileşen, endüstriyel ve tüketici ürünlerinde yaygın olarak tercih edilir. Not: Bu ürün obsolete (kullanımdan kaldırılmış) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 460 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 35W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.7Ohm @ 1.15A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220F-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok