Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQPF4N20
MOSFET N-CH 200V 2.8A TO220F
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQPF4N20
FQPF4N20 Hakkında
FQPF4N20, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 200V drain-source gerilimi, 2.8A sürekli drain akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sağlanan bu transistör, güç anahtarlama devreleri, motor kontrolü, güç kaynakları ve yük yönetimi uygulamalarında tercih edilir. 1.4Ω RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışır ve 27W maksimum güç dağılımına sahiptir. Gerilim kontrollü cihazlar, endüstriyel kontrol sistemleri ve şarj cihazlarında yaygın olarak uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 220 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 27W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4Ohm @ 1.4A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220F-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok