Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQPF3N80CYDTU
MOSFET N-CH 800V 3A TO220F-3
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQPF3N80CY
FQPF3N80CYDTU Hakkında
FQPF3N80CYDTU, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 800V Drain-Source gerilimi ve 3A sürekli dren akımı kapasitesiyle yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç dönüştürücüler, anahtarlama kaynakları, motor kontrol devreleri ve yüksek voltaj SMPS (Switched Mode Power Supply) uygulamalarında tercih edilir. 4.8Ω maksimum RDS(on) değeri ve 16.5nC gate charge özellikleriyle verimli anahtarlama performansı sunar. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilir. Bileşen tarihsel ürün olup yeni tasarımlar için yerini daha güncel versiyonlara bırakmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 705 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack, Formed Leads |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 39W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.8Ohm @ 1.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220F-3 (Y-Forming) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok