Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQPF3N80C
MOSFET N-CH 800V 3A TO220F
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQPF3N80C
FQPF3N80C Hakkında
FQPF3N80C, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 800V drain-source gerilimi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 3A sürekli drain akımı kapasitesi ve 4.8Ω (10V, 1.5A) maksimum RDS(on) değeri ile anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde yer alabilir. TO-220-3 paketinde sunulan bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. 39W maksimum güç tüketimi ve 16.5nC gate charge değerleri hızlı anahtarlamaya imkan tanır. Endüstriyel güç yönetimi, motor kontrolü ve enerji dönüştürme uygulamalarında kullanıldığında, yüksek gerilim ve düşük kapasitif yük özellikleri sayesinde verimli çalışma sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 705 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 39W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.8Ohm @ 1.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220F-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok