Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQPF3N80
MOSFET N-CH 800V 1.8A TO220F
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQPF3N80
FQPF3N80 Hakkında
FQPF3N80, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 800V drain-source voltaj ve 1.8A sürekli drenaj akımı ile tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate voltajında 5Ohm maksimum RDS(on) değerine sahiptir. ±30V maksimum gate-source voltaj aralığında çalışır ve 39W maksimum güç dağıtabilir. -55°C ile +150°C arasında güvenli işletim sağlar. Yüksek voltaj anahtarlama uygulamaları, güç dönüştürme devreleri, motor sürücüleri ve endüstriyel anahtarlama sistemlerinde kullanılır. Metal Oxide teknolojisine dayalı tasarımı sayesinde düşük kapasitans ve hızlı komütasyon özelliği sunar. Bileşen obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 690 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 39W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5Ohm @ 900mA, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220F-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok