Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FQPF3N60

MOSFET N-CH 600V 2A TO220F

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
FQPF3N60

FQPF3N60 Hakkında

FQPF3N60, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 2A sürekli dren akımı ile tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında anahtar görevi görmek için kullanılır. 3.6Ω maksimum On-Resistance değeri ile verimli güç iletimini sağlar. -55°C ile 150°C arasındaki çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. Endüstriyel kontrol devreleri, ac/dc dönüştürücüler ve anahtar modu güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. Bileşen obsolete durumundadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 450 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 34W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.6Ohm @ 1A, 10V
Supplier Device Package TO-220F-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok