Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQPF3N50C
MOSFET N-CH 500V 3A TO220F
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQPF3N50C
FQPF3N50C Hakkında
FQPF3N50C, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V drain-source gerilimi ve 3A sürekli dren akımı kapasitesiyle yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç anahtarlama devrelerinde, motor kontrolü, enerji dönüştürücü sistemleri ve güç yönetimi uygulamalarında yaygın olarak tercih edilmektedir. 2.5Ω maksimum on-state direnci (Rds On) düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Through-hole montaj türü klasik PCB tasarımlarına uygun olup, 25W maksimum güç dissipasyonu kapasitesi vardır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 365 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 25W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5Ohm @ 1.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220F-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok