Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FQPF3N25

MOSFET N-CH 250V 2.3A TO220F

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
FQPF3N25

FQPF3N25 Hakkında

FQPF3N25, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 250V Drain-Source gerilim kapasitesi ile güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 2.3A sürekli drain akımı ve 2.2Ω maksimum RDS(on) değeri ile orta güç seviyelerdeki devre tasarımlarında yer bulur. TO-220-3 paketlemesi ile endüstriyel uygulamalar, motor kontrol devreleri, güç kaynakları ve anahtarlı regülatör tasarımlarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.3A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 250 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 170 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 27W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2Ohm @ 1.15A, 10V
Supplier Device Package TO-220F-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok