Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FQPF34N20L

MOSFET N-CH 200V 17.5A TO220F

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
FQPF34N20L

FQPF34N20L Hakkında

FQPF34N20L, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source voltaj (Vdss) ve 17.5A sürekli drain akımı (Id) ile güç uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama devrelerinde, güç dönüştürücülerinde, motor kontrol uygulamalarında ve güç yönetimi sistemlerinde yer alır. 75mΩ maksimum RDS(on) değeri ve 55W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile verimli çalışma sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen transistör, 10V gate sürücü voltajında optimize edilmiştir. Şu anda üretimi durdurulmuş (obsolete) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 17.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 72 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3900 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 55W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 75mOhm @ 8.75A, 10V
Supplier Device Package TO-220F-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok