Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FQPF34N20

MOSFET N-CH 200V 17.5A TO220F

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
FQPF34N20

FQPF34N20 Hakkında

FQPF34N20, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilim (Vdss) ve 17.5A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç kaynakları, motor kontrol sistemleri ve invertör uygulamalarında tercih edilir. 75mOhm maksimum on-state direnci (Rds On @ 10V) ile verimli iletim sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışan komponent, 55W maksimum güç harcaması ile tasarlanmıştır. 78nC gate charge ve 3100pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama performansı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 17.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3100 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 55W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 75mOhm @ 8.75A, 10V
Supplier Device Package TO-220F-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok