Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQPF33N10L
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQPF33N10L
FQPF33N10L Hakkında
FQPF33N10L, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 100V Drain-Source gerilimi ve 18A sürekli drenaj akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 52mOhm maksimum RDS(ON) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. TO-220-3 paket tipinde gelen bu komponent, motor kontrolü, güç kaynakları, LED sürücüleri ve DC-DC dönüştürücüler gibi endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında ve 41W maksimum güç tüketimiyle güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1630 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 41W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 52mOhm @ 9A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220F-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok